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技術(shù)文章
一、概述
IsoVu 光隔離探頭發(fā)現(xiàn)非隔離探頭隱藏的快速震蕩的信號。IsoVu™ 探頭技術(shù)實際上通過光學隔離消除了共模干擾。這樣就可以按 100V/ns 或更快的速度在 ±60kV 的基準電壓上提供精確的差分測量。借助我們的 IsoVu Generation 2 設計，您能獲得 IsoVu 技術(shù)的所有優(yōu)勢，但大小僅為原來探頭尺寸的 1/5。
IsoVu Gen 2 探頭憑借多功能 MMCX 連接器以及帶寬、動態(tài)范圍和共模抑制組合，為隔離探頭技術(shù)設定新的標準。
二、應用
（1） 開關模式電源設計
（2）寬禁帶 GaN 和 SiC 設備的功率 FET 設計/分析
（3）逆變器設計
（4）電機驅(qū)動設計
（5）BCI 或 ESD 測量
（6）電流分流器測量
三、全新升級
對于傳統(tǒng)差分探頭，您必須在高帶寬和高電壓之間做出選擇。IsoVu 探頭采用屏蔽同軸電纜和隔離功能，提供高帶寬和 ±2500V 的差分電壓范圍。
第二代IsoVu TIVP探頭提供 200 MHz、500 MHz 和 1 GHz 的一系列帶寬，以適合您的預算并構(gòu)建具有特定項目所需性能的工作平臺。
四、技術(shù)參數(shù)
| 型號 | 帶寬 | 差分電壓 | 共模電壓 | 共模抑制比 | 光纖電 纜長度 |
| TIVP02 | 200 MHz | ±2500 V | ±60kV | 直流：160dB 100 MHz：100 dB 200 MHz：100 dB | 2 米 |
| TIVP02L | 200 MHz | ±2500 V | ±60kV | 直流：160dB 100 MHz：100 dB 200 MHz：100 dB | 10 米 |
| TIVP05 | 500 MHz | ±2500 V | ±60kV | 直流：160dB 100 MHz：100 dB 200 MHz：100 dB | 2 米 |
| TIVP05L | 500 MHz | ±2500 V | ±60kV | 直流：160dB 100 MHz：100 dB 200 MHz：100 dB | 10 米 |
| TIVP1 | 1 GHz | ±2500 V | ±60kV | 直流：160dB 100 MHz：100 dB 200 MHz：100 dB | 2 米 |
| TIVP1L | 1 GHz | ±2500 V | ±60kV | 直流：160dB 100 MHz：100 dB 200 MHz：100 dB | 10 米 |
五、老型號技術(shù)參數(shù)
| 型號 | 帶寬 | 差分電壓 | 共模電壓 | 共模抑制比 | 光纖電 纜長度 |
| TIVH02 | 200 MHz | ±2500 V | ±60kV | 直流：120dB 100 MHz：120 dB 200 MHz：110 dB | 3 米 |
| TIVH02L | 200 MHz | ±2500 V | ±60kV | 直流：120dB 100 MHz：120 dB 200 MHz：110 dB | 10 米 |
| TIVH05 | 500 MHz | ±2500 V | ±60kV | 直流：120dB 100 MHz：120 dB 200 MHz：110 dB | 3 米 |
| TIVH05L | 500 MHz | ±2500 V | ±60kV | 直流：120dB 100 MHz：120 dB 200 MHz：110 dB | 10 米 |
| TIVH08 | 800 MHz | ±2500 V | ±60kV | 直流：120dB 100 MHz：120 dB 200 MHz：110 dB | 3 米 |
| TIVH08L | 800 MHz | ±2500 V | ±60kV | 直流：120dB 100 MHz：120 dB 200 MHz：110 dB | 10 米 |
| TIVM1 | 1 GHz | ±2500 V | ±60kV | 直流：120dB 100 MHz：120 dB 200 MHz：110 dB | 3 米 |
| TIVM1L | 1 GHz | ±2500 V | ±60kV | 直流：120dB 100 MHz：120 dB 200 MHz：110 dB | 10 米 |
六、其它產(chǎn)品
采用 InstaView™ 技術(shù)的 AFG31000 系列為內(nèi)置波形發(fā)生應用程序、具有實時波形監(jiān)測功能并采用智能用戶界面的高性能任意波函數(shù)發(fā)生器，可以在一分鐘內(nèi)直接在觸摸顯示屏上生成兩個具有可變脈沖寬度（從 20 ns 到 150 µs）的波形。無需使用外部 PC 應用程序或手動編輯。測量開關器件參數(shù)并評估 MOSFET 和 IGBT 等功率器件的動態(tài)性能。
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